设备简介：
主要用于分析材料的显微结构及成分
技术指标：
二次电子像最高分辨率：在15KV, WD=2mm，达到1.0nm。
放大倍数 :12x ～ 2,000,000x
电子枪: 热场发射
样品电流: 5pA ～ 20nA
加速电压: 0.05kV ～ 30kV
主要功能：
1.二次电子像：高分辨率的样品表面形貌成像
2.背散射电子像：表面形貌成像 原子序数衬度成像
3.电子背散射衍射：电子通道花样 晶体取向 位向差分析 织构分析 相鉴定
4.能谱分析：材料微区成分元素种类与含量分析
应用领域：
材料、生物、矿石等
